[Siglo]

(Продолжение). IV. ЧАСТЬ. 12.06.2022.

В основании Вселенной во всей её диалектической глубине – Синкретично-синтезированный (С-с), Скалярно-некалиброванный (С-н) Резонансно-метрически триедино-вложенный (Р-м т-в) ЦЕЛОСТНЫЙ Фрактально-резонансный LC-Контур (содержательного качества, метрической записи: (3 + 1) + 1 + 7 = 12), Дихотомически-расслоенный на одномоментно взаимно транскрибированную пару:
I. С-с, С-н Р-м т-в ЦЕЛОСТНОЙ Фрактально-резонансную С-Энергетическую Надстройку LC-Контура, Актуально-доминирующую над
II. Тотально-интегрированным (Т-и), Векторно-калиброванным (В-к) Р-м т-в ЦЕЛОСЬНЫМ Фрактально-резонансным L-Индуктивным Базисом LC-Контура.

С-с, С-н Р-м т-в ЦЕЛОСТНЫЙ Фрактально-резонансный LC-Контур (содержательного качества, метрической записи: (3 + 1) + 1 + 7 = 12) составляет циклично-реактивирующийся в интервал времени (t1 – t2) планкового уровня С-с, С-н Р-м т-в ЦЕЛОСТНЫЙ Переходный процесс LC-Контура (содержательного качества, метрической записи: (3 + 1) + 1 + 7 = 12), поэтапно реализующийся в С-с, С-н Р-м т-в ЦЕЛОСТНОМ Исполнительном механизме.

Циклично-реактивирующийся в интервал времени (t1 – t2) планкового уровня С-с, С-н Р-м т-в ЦЕЛОСТНЫЙ Переходный процесс LC-Контура (метрической записи: (3 + 1) + 1 + 7 = 12) в содержательном качестве С-с, С-н Р-м т-в ЦЕЛОСТНОГО Функционального фрактала (метрической записи: (3 + 1) + 1 + 7 = 12)
- Дихотомически-расслоён на одномоментно взаимно –транскрибированную пару:
I. С-с, С-н Р-м т-в ЦЕЛОСТНОЙ Фрактально-резонансной С-Энергетической Надстройки, Актуально-доминирующей над
II. Т-и, В-к Р-м т-в ЦЕЛОСЬНЫМ Фрактально-резонансным L-Индуктивным Базисом.

Принцип дихотомического расслоения очевиден из нижеследующего условного примера.

Так, некий Векторно-калиброванный (базовыми векторами Привилегированной системы отсчета - ПСО) физический потенциал U в интервал времени (t1 - t2) расслоен:
I. в t1 на В-к потенциал - U1 к.ед. (калиброванных единиц) и
II. в t2 на В-к потенциал - U2 к.ед.

Разность В-к потенциалов: (U1 к.ед – U2 к.ед.) - составляет потенциал Т-и, В-к приращения, составляющий Т-и, В-к Р-м т-в L-Индуктивный Базис LC-Контура.

В условном примере, Калиброванный физический потенциал U в интервал времени расслоен:
I. в t1 - U1 к.ед. = 6 к.ед. и
II. в t2 - U2 к.ед. = 2 к.ед.

Разность этих двух В-к потенциалов: 6 к.ед. - 2 к.ед. = 4 к.ед.
– составляет Т-и, В-к Р-м т-в L-Индуктивный Базис в форме Т-и, В-к Р-м т-в Импульса.

Отношение же этих двух В-к потенциалов (U1 к.ед. / U2 к.ед.) составляет С-с, С-н Р-м т-в С-Энергетическую Надстройку LC-Контура, Актуально-доминирующую над Т-и, В-к Р-м т-в L-Индуктивным Базисом LC-Контура.

В условном примере, отношение двух Векторно-калиброванных потенциалов:
6 к.ед. / 2 к.ед = 3 – составляет некалиброванное число три, в содержательном качестве С-с, С-н Р-м т-в Р-м т-в С-Энергетической Надстройки, Актуально-доминирующей над Т-и, В-к Р-м т-в L-Индуктивным Базисом в форме Т-и, В-к Р-м т-в Импульса, равным 4 к.ед.

Из чего следует, что исключительно всякий В-к физический потенциал, Дихотомически-расслоен в интервал времени (t1 - t1) планкового уровня на одномоментно взаимно транскрибированную пару:
I. С-с, С-н Р-м т-в C-Энергетической Надстройки, Актуально-доминирующей над
II. Т-и, В-к Р-м т-в L-Индуктивным Базисом, тождественным Т-и, В-к Р-м т-в Импульсу.

Из условного примера очевидно, что исходный Векторно-калиброванный физический потенциал U = 6 к.ед., Дихотомически-расслоен в интервал времени (t1 - t1) планкового уровня на одномоментно взаимно транскрибированную пару:
I. С-с, С-н Р-м т-в Р-м т-в С-Энергетической Надстройки (равной трем некалиброванным единицам), Актуально-доминирующей над
II. Т-и, В-к Р-м т-в L-Индуктивным Базисом, тождественным Т-и, В-к Р-м т-в Импульсу (равным четырем Векторно-калиброванным единицам).